Si on monte en puissance, au niveau du silicium, il y a un autre problème : la dissipation thermique. La dissipation de la diode s'ajoute à celle du transistor, ce qui peut fausser la donne au niveau du dimensionnement.
Si je me souvient bien, comme tu le dis MaxMod, la tension directe d'une diode diminue lorsque la température augmente. Donc le courant maxi dans la diode aussi, ce qui ne nous avance pas beaucoup pour la thermique (la diode va conduire plus tôt, plus longtemps, à courant supérieur, donc dissiper plus).
Inversement, le transistor (MOS, IGBT, GTO, thyristor, triac...) perd en courant direct max lorsque sa température augmente.
Je me souviens de mon prof d'électronique de puissance qui nous avait fait faire un gros TP sur le sujet, et qui disait : si on veut être sûr de tous les paramètres, il faut bien calculer et choisir ses composants. Si on veut changer une diode de roue libre parce qu'on s'est trompé, on peut le faire. Si on veut changer de transistor parce qu'on l'a mal calculé, on peut. Si on change les deux d'un coup, on remet le calcul en cause.
Les diodes intégrées aux MOS ne sont pas décrites en long, en large et en travers.
Sous une fraction de la puissance nominale du composant, je les utilise. Si je veux être sûr de mes rendements, non.
Je parle de "calculs", c'est surtout adapté aux très fortes charges, sur des IGBT ou bipolaires haute tension, avec des CALC.