J
jacounet
Compagnon
Salut Pierrem.Bonjour
Suite a un fonctionnement prolongé (20m) à 15a ma carte chinoise a tout simplement explosé
1 transistor irfp260N a flashé je pense a cause d'une surtempérature car la tension était assez haute (34V) et le montage fonctionnait normalement
J'ai donc envoyé un mil pour la forme au fournisseur vois ce qu'il en dit
Je pense remplacer les MOSFET actuel IRF260N par des IXFB210N30P3 qui supportent 210A sous 300V
Le changement de transistor implique-t-il une modificatif des inductance d’oscillation ?
Pierre
Je pense que cette carte n'est pas faite pour fonctionner 15 mn sous 15 A...
Y-a du avoir surchauffe comme tu dis , si pas de ventilation suffisante .
Pour les transistors , vaut mieux remplacer les deux , car quand ils sont montés comme ça ,quand un dégage , l'autre a souffert s'il n'est pas complètement cramé .
En aéronautique sur les alim à découpage on remplaçait les 2 MOSFET si un HS ...c'est du vécu .
Attention chez IXYS , suffixe IX les MOSFET n'ont qu'une diode protectrice contre les tensions inverses , y-a pas de zeners de puissance écrêteuses ... or au démarrage on a un pain de tension pouvant dépasser 500 V aux bornes de la self durant moins d'une ms , et cette tension peut se retrouver aux bornes des MOSFET si pas d'écrêteuse qui ne tiennent que 300V.
Donc bien regarder le data sheet du IXFB210N30P3...diode de protection tension inverse ou zener de puissance ( tranzorbe,transil)
Mais chacun fait , son expérience , et ce qu'il veut .
A+. Jac .